1月24日，韩国媒体《首尔经济日报》发表文章称，中国半导体业界正在加紧开发尚未商用化的“3D DRAM”。3D DRAM被誉为可以左右今后存储器市场霸权走向的“梦想技术”，但没有一家企业掌握主导权。有人担心，试图掌握世界半导体主导权的中国很有可能迅速抢占该技术，威胁韩国在DRAM领域的地位。
据业内人士20日透露，长江存储、中国科学院等中国知名DRAM制造商和半导体技术研究机构相继发表了3D DRAM相关研究结果。长江存储与中科院推出了一种仅用两个晶体管（2T0C）制造DRAM存储器件的技术。现有的 DRAM 单元由一个晶体管和一个电容器 (1T1C) 组成。去掉了在现有结构中占据很大体积的电容器，增加了一个晶体管。韩国业内人士认为，由于技术限制，中国企业和机构很难立即实施“2T0C”结构
