近期，兰州大学物理科学与技术学院田永辉教授课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT）Arnan Mitchell教授课题组及上海交通大学苏翼凯教授课题组合作，在薄膜铌酸锂晶圆的表面沉积一层氮化硅薄膜，通过成熟的CMOS兼容工艺刻蚀氮化硅层可以得到氮化硅-铌酸锂异质脊型波导，解决了直接刻蚀铌酸锂薄膜带来的波导侧壁角度等问题，并基于该波导实现了高性能的模式和偏振复用器件。相关结果以“Mode and Polarization-division multiplexing based on silicon nitride loaded lithium niobate on insulator platform”为题在线发表在Laser & Photonics Reviews上，并将于当期Front Cover做简要介绍。兰州大学物理科学与技术学院博士生韩旭为论文第一作者，田永辉教授为论文通讯作者，皇家墨尔本理工大学任光辉博士为论文共同通讯作者。
图1. (a) 直刻薄膜铌酸锂波导的制作工艺和波导中的模场图 (b) 氮化硅-薄膜铌酸锂异质波导的制作工艺和波导中的模场图
铌酸锂是典型的各向异性晶体，基于前期的研究工作，团队研究人员通过仿真计算得到了铌酸锂不同晶体学轴的光学模式特性（图2），并率先提出了基于该平台的高性能模式和偏振复用方案：在铌酸锂晶体学Z轴方向实现模式复用，晶体学Y轴方向实现偏振复用。
图2. (a) 晶体学Y轴模式有效折射率与氮化硅脊宽度的关系 (b) 晶体学Z轴模式有效折射率与氮化硅脊宽度的关系
器件的静态测试结果显示，在覆盖C波段的宽波长范围内，模式复用/解复用器的插入损耗低于1.46 dB，模间串扰低于-13.03 dB，偏振旋转分束器的插入损耗低于1.49 dB，偏振消光比大于17.75 dB，如图3、图4所示。进一步地，研究人员还对器件进行了40 Gbps数据传输实验，得到的眼图清晰张开，误码率测试展示了较低的功率损失，证明所制备的器件具有良好的数据处理能力。
图3.从模式复用/解复用器的不同信道（(a)-(d)依次为TE0-TE3）输入信号时，不同输出端口测量的传输光谱。
图4.从偏振旋转分束器的不同信道（(a)、(b)依次为TE0、TM0）输入信号时，不同输出端口测量的传输光谱。