新兴玩家的底牌，电动汽车的机会
虽然东尼电子的碳化硅材料项目在今年才正式启动，但其早在2019年年报中就已表示在研项目包括碳化硅衬底材料。
从时间上看，这一年正是特斯拉上海工厂投产、电动车在中国全面爆发的一年，而东尼电子如此急迫地涌入碳化硅材料赛道也与此息息相关。
2018年，特斯拉在Model 3上首先使用了碳化硅功率元器件，由意法半导体独家供应。据特斯拉研发团队测算，相比特斯拉Model S/X上用的IGBT，SiC Mosfet能带来5-8%的逆变器效率提升，这将使Model 3的逆变器效率直接提升到90%，对续航有着显著的提升。
此外，由于碳化硅极强的高温性能，车用SiC Mosfet的高温表现也十分优异，在高温状态下，IGBT的效率会迅速下降，而SiC Mosfet直到200度都能维持正常效率表现。
这也是为什么在当今电动车行业中，只有特斯拉一家能够通过提高驱动模块的工作温度来保证动力系统的长时间高功率输出。
在特斯拉完成SiC的应用后，其他车厂纷纷选择跟进，但他们可能面临的问题是严重缺乏SiC功率元器件。
