湖南大学让晶体管小至3纳米，沟道长度仅一层原子

月石一 发自 凹非寺

量子位 报道 | 公众号 QbitAI

湖南大学团队成功实现了超短沟道的垂直场效应晶体管（VFET）。

沟道长度可以缩短到0.65nm，几乎只有一个原子的大小。

这项研究的论文登上了《Nature Electronics》。

要知道，受短沟道效应、传统高能金属沉积技术、高精度光刻技术等限制，想把沟道长度降低到10nm以下是非常困难的。

现在，这项研究为芯片性能提升提供了新思路。