SiC和GaN功率半导体市场趋势
到2020年底，SiC MOSFETs预计将产生约3.2亿美元的收入，与肖特基二极管的收入相当。从2021年起，SiC MOSFETs将以略快的速度增长，成为最畅销的分立SiC功率器件。同时，尽管SiC JFETs的可靠性、价格和性能都很好，但据预测，SiC JFETs的收入要比SiC MOSFETs少得多。
“终端用户很喜欢常关型SiC MOSFETs，因此SiC JFET似乎可能仍然是专门的、利基产品。”Eden 说，“然而，尽管活跃的供应商很少，但预计SiC JFET的销售额将以惊人的速度增长。”
结合Si IGBT和SIC二极管的混合型SiC功率模块在2019年的销售额估计约为7200万美元，全SiC功率模块在2019年的销售额估计约为5000万美元。Omdia预计到2029年，全SiC功率模块将实现超过8.5亿美元的收入，因为它们将被优先用于混合动力和电动汽车动力系统逆变器。相比之下，混合型SiC功率模块将主要用于光伏（PV）逆变器、不间断电源系统和其他工业应用，带来的增长速度要慢得多。
2019年以来发生了什么变化？
现在，SiC和GaN功率器件都有数万亿小时的器件现场经验。供应商，甚至是新进入市场的企业，都在通过获得JEDEC和AEC-Q101认证来证明这一点。SiC和GaN器件似乎不存在任何意外的可靠性问题；事实上，它们通常比硅器件更好。
SiC MOSFET和SiC JFET的工作电压较低，如650V、800V和900V，使SiC在性能和价格上都能与Si超结MOSFET竞争。
内含GaN晶体管和GaN系统集成电路的终端产品已投入批量生产，特别是用于手机和笔记本电脑快速充电的USB C型电源适配器和充电器。此外，许多GaN器件正由晶圆代工服务提供商制造，在标准硅片上提供内部GaN外延晶体生长，随着产量的增加，产能可能无限扩大。
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